STP30NF10


Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R

Купить STP30NF10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STP30NF10
Версия для печати

Технические характеристики STP30NF10

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSTripFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1180pF @ 25V
Power - Max115W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP30NF10 (MOSFET)

N-channel 100V - 0.038? - 35A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP30NF10 datasheet
508.3 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57     6 54.00 
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   EIC 2 336 11.14 
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYV26E Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57   LGE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)     24 923 1.51 
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   GALAXY 27 6.72 
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   PANJIT 2 122 2.28 
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   KLS 29 200 1.28 
BZX55C12 Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ECAP 47/25V 0511 105C SH Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 25 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   INTERNATIONAL RECTIFIER 80 193.80 
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс     4 152.40 
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   FULIHAO TECH 2 880 108.24 
IR2104S Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   FULIHAO 306 66.76 
IRFB4615PBF 150v single n-channel hexfet power mosfet in a to-220ab package   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB4615PBF 150v single n-channel hexfet power mosfet in a to-220ab package     Заказ радиодеталей 630.00 
IRFB4615PBF 150v single n-channel hexfet power mosfet in a to-220ab package   INFINEON 16 125.95 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход