STP80NF10

Версия для печати

Технические характеристики STP80NF10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	182nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5500pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80NF10 (MOSFET)

N-channel 100V - 0.012? - 80A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80NF10 datasheet
316 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
GM-100 МКФ-50В (8Х12) 20% 105°C		JAMICON
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	FAIR
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	FSC
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	Fairchild Semiconductor
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A		973.64
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	FAIRCHILD
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	FAIRCHILD
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	ONS
HGTG12N60A4D	Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A	ONS-FAIR
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD	SONY
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD		848.00
L/H KSS213C	Лазерная головка для CD	UNKNOWN
L6392		ST MICROELECTRONICS
RTD14012		TE Connectivity
RTD14012		TYCO
RTD14012
RTD14012		TE