| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
1
|
159.60
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
35
|
76.00
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
|
1
|
237.60
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
M24C04-WMN6P |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24C04-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M24C04-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M24C04-WMN6P |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRONICS
|
403
|
23.16
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
1
|
146.40
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
