TEN 5-2421WI

DC/DC, 6Вт, вход 9..36В, Uвых=+5В/+500мА, изоляция 1500В DC,корпус DIP24 32х20х10.2мм, -40:+85°С

Dc/dc конвертер серии ten 5wi мощностью 6 ватт
Особенности:

Сверх-широкий диапазон входных напряжений 4:1
Металлический экранированный корпус DIL-24 со стандартным расположением выводов
Диапазон рабочих температур -40...+85°C
Высокий КПД до 84%
Регулируемый выход
Защита от короткого замыкания
Напряжение изоляции вход/выход 1500 Вольт
Встроенный фильтр электромагнитных помех в соответствии EN 55022-A и FCC, уровень A
Гарантия 3 года

Версия для печати

Технические характеристики TEN 5-2421WI

POUT,Вт	6
VIN,В	от 9 до 36
VISO,В	1500
КПД,%	79
Выход: UВЫХ1,В	5
Выход: IВЫХ1,мА	500
Выход: UВЫХ2,В	-5
Выход: IВЫХ2,мА	-500
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	32
Размеры: Ш,мм	20
Размеры: В,мм	10
Корпус	DIL-24

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TEN 5-2421WI (DC-DC модули)

DC/DC конвертер серии TEN 5WI мощностью 6 Ватт

Производитель:
Traco Electronic

TEN 5-2421WI datasheet
100.7 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
106K035V 10МКФ 35В 10% D
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	13 142	6.86
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	800	13.43
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	3 503	7.25
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		8 152	4.21
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	5.14
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	6.51
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
1N5821	Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
7.3728 MHZ HC-49S		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
RES 0603 510R 1%		YAGEO
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS	2 812	71.58
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD
SDR1006-331KL	Индуктивность 330 мкГн SMD	BOURNS