TEN 8-1212
DC/DC, 8Вт, вход 9:18В, выход 12В/665mА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32x20x10.2мм, -40:+71°С
|
Dc/dc конвертер серии ten 8 мощностью 8 ватт Особенности:
|
Версия для печати
| POUT,Вт | 8 |
| VIN,В | от 9 до 18 |
| VISO,В | 1500 |
| КПД,% | 85 |
| Выход: UВЫХ1,В | 12 |
| Выход: IВЫХ1,мА | 665 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Размеры: Д,мм | 32 |
| Размеры: Ш,мм | 20.3 |
| Размеры: В,мм | 10.2 |
| Корпус | DIL-24 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TEN 8-1212 (DC-DC модули) DC/DC конвертер серии TEN 8 мощностью 8 Ватт
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS | 25 265 | 3.27 | |||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX | 39 | 1 575.00 | |||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I |
|
|
