TL081CDR

1xOP JFET +-18V 13V/us

TL081CDR

Версия для печати

Технические характеристики TL081CDR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	J-FET
Число каналов	1
Скорость нарастания выходного напряжения	13 V/µs
Полоса пропускания	3MHz
Ток - входного смещения	30pA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток выходной	1.4mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-X7R-1.0UF 10% 25V		Керамический конденсатор 1206, X7R, 10%,1.0 мкФ, 25 В	KOME
		1206-X7R-1.0UF 10% 25V		Керамический конденсатор 1206, X7R, 10%,1.0 мкФ, 25 В			7.32
		IRFI740GPBF		Полевой транзистор N-Канальный 400V 5,A 40W 0,55R TO220 FullPak	VISHAY
		IRFI740GPBF		Полевой транзистор N-Канальный 400V 5,A 40W 0,55R TO220 FullPak	Vishay/Siliconix
		IRFI740GPBF		Полевой транзистор N-Канальный 400V 5,A 40W 0,55R TO220 FullPak
		LR8K4-G		Регулируемый (Vout=1.2-438V, tol=5%, Iout=0.01A, Uin=13.2-450V)	SUP
		LR8K4-G		Регулируемый (Vout=1.2-438V, tol=5%, Iout=0.01A, Uin=13.2-450V)	SUPERTEX
		LR8K4-G		Регулируемый (Vout=1.2-438V, tol=5%, Iout=0.01A, Uin=13.2-450V)		1 035	232.37
		LR8K4-G		Регулируемый (Vout=1.2-438V, tol=5%, Iout=0.01A, Uin=13.2-450V)	MICRO CHIP
		LR8K4-G		Регулируемый (Vout=1.2-438V, tol=5%, Iout=0.01A, Uin=13.2-450V)	SI

радиодетали кварц микросхемы магазин

О компании

Контакты

Как купить?

Доставка

Вакансии

Корзина

Товаров: 0, на 0.00 руб.

оформить | очистить