|
Корпус | P-DSO-20 |
Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Ток минимальный предел тока | 180mA, 350mA |
Ток выходной | 100mA (Max), 250mA (Max) |
Число регуляторов | 2 |
Напряжение - падение (Typ.) | 0.3V @ 100mA, 0.3V @ 200mA |
Напряжение входное | Up to 45V |
Напряжение выходное | 5V, Adjustable |
Топология регулятора | Positive Fixed and Adjustable |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
TLE 4470 (Линейные стабилизаторы напряжения) Dual Low-drop Voltage Regulator Также в этом файле: TLE4470G, TLE4470GS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STA509A | Микросхема | 765.20 | ||||||
STA509A | Микросхема | SK | ||||||
STA509A | Микросхема | SANKEN | ||||||
STA509A | Микросхема | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | |||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO | ||||||
TLE4267G | INFINEON | |||||||
TLE4267G | 1 | 246.40 | ||||||
TLE4267G | INFINEON TECH | |||||||
TLE4267G | INFINEON | |||||||
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5 | ERSA | |||||||
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5 | 488.00 | |||||||
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5 | ГЕРМАНИЯ | |||||||
ОТСОС ПРИПОЯ TD-192A | 112 | 224.93 |
|