TME 1212S

DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 10.8-13.2V, выход 12V/80mA, изоляция 1000VDC, корпус SIP4 11.5х6.1х10.2мм., - 40°C :+85°C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TME 1212S (TRACO)	1 120	834.92

Версия для печати

Технические характеристики TME 1212S

POUT,Вт	1
VIN,В	от 10.8 до 13.2
VISO,В	1000
КПД,%	79
Выход: UВЫХ1,В	12
Выход: IВЫХ1,мА	80
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	11.5
Размеры: Ш,мм	6
Размеры: В,мм	10.2
Корпус	SIP-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TME 1212S (DC-DC модули)

DC/DC конвертер серии TME мощностью 1 Ватт, нерегулируемый выход

Производитель:
Traco Electronic

TME 1212S datasheet
106 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	FAI/QTC
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	PHILIPS
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	FSC
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	FAIR
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W			15.60
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	FAIRCHILD
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	FAIRCHILD
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	PHILIPS
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	Fairchild Semiconductor
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	США
BC516	Транзистор биполярный составной PNP-Darl 30V 0,5A 0,5W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
BYV29-500	Диод S-D 500В 7.4A SOD59	PHILIPS
BYV29-500	Диод S-D 500В 7.4A SOD59
BYV29-500	Диод S-D 500В 7.4A SOD59	NXP
BYV29-500	Диод S-D 500В 7.4A SOD59	NXP
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	311.10
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8			119.28
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	ТАИЛАНД
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INFINEON
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	1
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 393	30.27
SI9910DJ	Микросхема . драйвер КМОП мощности DIP8	SILICONIX
SI9910DJ	Микросхема . драйвер КМОП мощности DIP8
SI9910DJ	Микросхема . драйвер КМОП мощности DIP8	SILICONIX	1