|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YJ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
|
359
|
22.88
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MIC
|
2 064
|
13.33
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
HOTTECH
|
5 125
|
12.26
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YIXING
|
4 000
|
9.60
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
|
|
114.44
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
3 388
|
27.14
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
364
|
32.53
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
|
|
493.64
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
HGSEMI
|
1 081
|
143.58
|
|
|
|
LM2576HVT-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 37В 3A TO220-5
|
HTC
|
3 841
|
146.44
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
29
|
22.04
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
|
|
48.00
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
197
|
|
|