TZC3P300A6.5/30.0ПФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	BOURNS
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	BARONS
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``			51.12
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``	BOCHEN	1 592	18.55
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR				46.80
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR		INFINEON
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А			20.24
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	VBSEMI	19	4.54
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TECH PUB	1 140	6.53
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TRR	104	6.12
IRLML6401TR	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	116 704	2.47
КСОТ-2Г-500В-1200 ПФ 5%
КСОТ-2Г-500В-330 ПФ 5%