|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
1 288
|
7.08
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
|
1
|
8.80
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DIOTEC
|
2 415
|
7.57
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TSC
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
62.98
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
|
25
|
108.00
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
JSMICRO
|
1 420
|
65.85
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
4 320
|
27.14
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
784
|
38.61
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
368
|
93.60
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 861
|
16.00
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
308
|
16.00
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
3 760
|
10.42
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|