Версия для печати
Технические характеристики UF4007 T/B

Производитель	DC Components Co., Ltd.
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.393 г
Bag Type	1000 В
Tape Width - Max	1 x 1 А
Bushing Thread	75 нс
Число шагов	1.7 В
Technology	1
Корпус (размер)	DO-41

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	74 209	2.61
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	535	2.29
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		67 637	1.54  >100 шт.   0.77
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	80	8.40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	16.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	16.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	10	2.19
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	14 487	2.47
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	2.22
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	264 841	1.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	81 479	2.38
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	111 520	1.10
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM	140	1.36
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	13 677	1.50
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES	8 239	1.67
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	8 590	1.22  >100 шт.   0.61
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	43 812	1.15
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	157 440	1.56
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	29 500	3.56
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		5 214	2.24
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	603	1.70  >100 шт.   0.85
		DDTA114ECA-7-F				80	94.80
		DDTA114ECA-7-F			Diodes Inc
		DDTA114ECA-7-F			DI
		DDTA114ECA-7-F			DIODES INC.
		DDTA114ECA-7-F			DIODES
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	GOODWORK SEMICONDUCTER
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	DC COMPONENTS	9 532	2.19
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS		4	10.08
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	MCC
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	КИТАЙ
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	KINGTRONICS
		HER103		Диод 200V, 1A, 50nS	1
		SB240			DIOTEC
		SB240			GENERAL SEMICONDUCTOR
		SB240					7.68
		SB240			SMK
		SB240			GENERAL SEMICONDUCTOR	49
		SB240					7.68

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"