2SK2837


Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W

Купить 2SK2837 по цене 283.20 руб.  (без НДС 20%)
2SK2837 Структура N-канал Максимальное напряжение...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2SK2837 цена радиодетали 283.20 

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 210
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики S,мА/В 17000
Корпус TO3P
Пороговое напряжение на затворе 4
Версия для печати

Технические характеристики 2SK2837

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs270 mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3720pF @ 10V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-16C1B (TO-247 N)
КорпусTO-3P(N)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W

2SK2837 datasheet
297,85kB
5стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     84 430.70 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC 1 377.85 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD 528 442.67 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 5 452.77 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В     Заказ радиодеталей 592.00 
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   США Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   СОЕДИНЕННЫЕ ШТА Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W     8 440.00 
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFPF40 Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W   INTERNATIONAL RECTIFIER 16 цена радиодетали
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   INTERNATIONAL RECTIFIER 80 71.40 
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W     6 123.60 
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ24N Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TNY278GN Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт   PWR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TNY278GN Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт     Заказ радиодеталей 192.00 
    TNY278GN Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт   Power Integrations Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TNY278GN Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TNY278GN Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт   PI Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход