К10-17Б-Y5V-0.022МКФ 50В (20%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4944 400V			10 873	1.40
3329H-101	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 100 Ом	BOURNS
3329H-101	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 100 Ом	BARONS
3329H-101	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 100 Ом	VATRONICS
3329H-101	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 100 Ом			21.60
3329H-101	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 100 Ом	КИТАЙ
3329H-102	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BOURNS
3329H-102	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BARONS
3329H-102	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			28.28
3329H-102	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	КИТАЙ
MJE13003G	Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MJE13003G	Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)	ONS
MJE13003G	Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)			96.40
MJE13003G	Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MJE13003G	Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
PIC10F200T-I/OT	256x12 Flash 4I/O 4MHz	MICRO CHIP	1	62.15
PIC10F200T-I/OT	256x12 Flash 4I/O 4MHz		3 445	55.09
PIC10F200T-I/OT	256x12 Flash 4I/O 4MHz	MICRO CHIP	1 901
PIC10F200T-I/OT	256x12 Flash 4I/O 4MHz	Microchip Technology
PIC10F200T-I/OT	256x12 Flash 4I/O 4MHz	MCHIP