| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
3 488
|
18.27
|
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HCPL090J-000E |
|
Оптрон скоростной одноканальный ТТЛ / CMOS совместимый, 100МБод, 10мА, до 2500В
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL090J-000E |
|
Оптрон скоростной одноканальный ТТЛ / CMOS совместимый, 100МБод, 10мА, до 2500В
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
|
1
|
1 008.00
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
|
|
24.60
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
Версия для печати
