SDR1006-330KL
Индуктивность 33 мкГн SMD
|
|
Версия для печати
| Тип | SDR |
| Номинальная индуктивность,мкГ | 33 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 10 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1500 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.12 |
| Добротность,Q | 20 |
| Рабочая температура,С | -50...125 |
| Способ монтажа | SMD |
| Длина корпуса,мм | 5.8 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 9.8 |
| Особенности | для высокоточных цепей |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SDR1006 SMD Power Inductors Также в этом файле: SDR1006-330KL
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC0805CRNPO9BN5R0 |
|
Керамический конденсатор 5 пФ 50 В | YAGEO | 23 484 |
1.44 >100 шт. 0.72 |
|||
| CC0805CRNPO9BN5R0 |
|
Керамический конденсатор 5 пФ 50 В |
|
|
||||
| CC0805CRNPO9BN5R6 |
|
Керамический конденсатор 5.6 пФ 50 В | YAGEO | 14 798 |
1.84 >100 шт. 0.92 |
|||
| CC0805CRNPO9BN5R6 |
|
Керамический конденсатор 5.6 пФ 50 В |
|
|
||||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | RAYC |
|
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS |
|
|
||||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | TE Connectivity |
|
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | RAYCHEM | 76 |
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | TYCO |
|
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | TE |
|
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | LTL/TE |
|
|
|||
| MICROSMD010F-2 |
|
Polyswitch самовосст. 100мА, RoHS | LITTELFUSE |
|
|
|||
 |
ST232CDR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
ST232CDR | 2 520 | 51.47 | |||||
|
|
ST232CDR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 168 |
|
||||
|
|
ST232CDR | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
ST232CDR | ТАИЛАНД |
|
|
