IRF8513

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF8513		52.64

Версия для печати

Технические характеристики IRF8513

Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	766pF @ 15V
Power - Max	1.5W, 2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.