SDT10S60
|
Версия для печати
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 350µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Серия | thinQ!™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Capacitance @ Vr, F | 350pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | PG-TO220-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
