Наиболее важными характеристиками диодов Шоттки, определяющими их использование, являются низкое прямое падение напряжения, высокое быстродействие, фактическое отсутствие заряда обратного восстановления. Чаще всего они применяются в мощных выпрямителях на высоких скоростях переключения, могут быть также использованы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей. Температурный диапазон зависит от корпуса и составляет обычно ±55 ÷ 150 °С для пластмассовых и 65 ÷150 °С для металлических корпусов Подробные параметры 10BQ040 см. даташит в .pdf файле |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 40V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Корпус | DO-214AA (SMB) |
Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
Тип монтажа | Поверхностный |
10BQ040 SCHOTTKY RECTIFIER 1 Amp
Производитель:
|
Синонимы от поставщиков: 10BQ040 ; 10-BQ ; 10 BQ ; 10 — BQ ; 10BQ ; диод 10BQ ;
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-NP0-10PF 5% 50V | Керамический конденсатор 10 пФ 50 В | KOME | ||||||
1206-NP0-10PF 5% 50V | Керамический конденсатор 10 пФ 50 В | 2.08 | ||||||
IRFI1010N | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFI1010N | Транзистор полевой | 122.88 | ||||||
IRFI1010N | Транзистор полевой | INFINEON | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | MICRO CHIP | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | 69.32 | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | Microchip Technology | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
MCP601-I/SN | Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us | MICRO CHIP | ||||||
SPP11N80C3 | INFINEON | |||||||
SPP11N80C3 | 552.60 | |||||||
SPP11N80C3 | Infineon Technologies | |||||||
SPP11N80C3 | INFINEON | |||||||
К73-17 400 В 0.022 МКФ |
|