|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
15 506
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
4.91
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
1 911
|
1.82
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
1.90
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
24
|
5.17
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
7 094
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
11 200
|
895.86
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
1 588
|
1.31
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
26 936
|
1.05
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIRCHILD
|
946
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
TELEFUNKEN
|
114
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ONS
|
3 620
|
1.89
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
1 010
|
2.70
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
4 169
|
3.39
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
17 652
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
2N4125 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4125 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N4125 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4125 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4125 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
|
|
54.00
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
МП41Б |
|
|
|
|
|
|