2N5551RLRA

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2N5551RLRA (ON SEMICONDUCTOR.)	1 332	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 2N5551RLRA

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N5551 (Универсальные биполярные транзисторы)

Amplifier Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: 2N5551RLRA, 2N5551RLRA

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

2N5551RLRA datasheet
75.19Kb
6стр.