2N5551RLRM
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2N5551 (Универсальные биполярные транзисторы) Amplifier Transistors NPN Silicon Также в этом файле: 2N5551RLRM, 2N5551RLRM
Производитель:
|
