Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 200MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 513
|
5.89
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
13 473
|
4.21
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 032
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
9 880
|
1.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
61 429
|
2.03
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.28
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.47
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
5 148
|
5.93
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 458
|
3.43
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
18 800
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 954
|
2.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
80
|
33.15
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
|
8
|
64.80
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
64
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
|
11 572
|
1.90
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
22.95
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD
|
552
|
7.00
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD
|
41 634
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NXP
|
140
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PHILIPS
|
113
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YJ
|
259 765
|
1.39
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
HOTTECH
|
374
|
2.02
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
JSCJ
|
15 047
|
1.82
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
SUNTAN
|
7 139
|
2.75
|
|
|
|
BSS123 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
UCC2894DR |
|
|
|
|
292.00
|
|
|
|
UCC2894DR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|