2SJ360(TE12L)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 155pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PW-MINI |
| Корпус | PW-Mini (4.6x4.2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
