|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1600V |
Current - DC Forward (If) | 35A |
Diode Type | Three Phase |
Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | QC Terminal |
Корпус (размер) | D-63 |
Корпус | D-63 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
40MT160PA | Vishay/Semiconductors | |||||||
FGL40N120AN | FAIR | |||||||
FGL40N120AN | FAIRCHILD | |||||||
FGL40N120AN | FAIRCHILD | |||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | VISHAY | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | 42.56 | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | Vishay/Siliconix | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | ФИЛИППИНЫ | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | SILICONIX | 28 | |||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER | 7 | 440.82 | ||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | 1 024.64 | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | США | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INFINEON | ||||||
SGP30N60HS | Infineon Technologies | |||||||
SGP30N60HS |
|