Версия для печати
Технические характеристики 74HCU04N

Корпус	14-DIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Ток выходной макс., мин.	5.2mA, 5.2mA
Число каналов	6
Число входов	1
Логический тип	Inverter
Серия	74HCU
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS	3 620	1.89
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	437	2.60
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	8.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	4 169	3.39
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		17 652	1.26  >100 шт.   0.63
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	7.18
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
		74HCU04D			NXP
		74HCU04D			PHILIPS
		74HCU04D			NXP
		74HCU04D			PHILIPS	337
		74HCU04D					68.76
		74HCU04D			NEX-NXP
		74HCU04D			4-7 НЕДЕЛЬ	188
		MC4558		Широкополосный двухканальный биполярный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS
		MC4558		Широкополосный двухканальный биполярный операционный усилитель	UTC
		MC4558		Широкополосный двухканальный биполярный операционный усилитель
		MC4558		Широкополосный двухканальный биполярный операционный усилитель	4-7 НЕДЕЛЬ	488
		NJM4558D			MATSUSHITA
		NJM4558D			JRC	472	30.78
		NJM4558D				22	75.60
		NJM4558D			NJR
		NJM4558D			4-7 НЕДЕЛЬ	482

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"