AMC1117-1.8SKFT

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AMC1117-3.3SKT		ADD MICROTECH CORPORATION
AMC1117-3.3SKT		ADD MICROTECH CORPORATION	666
AMC1117-3.3SKT
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIR
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIRCHILD
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIRCHILD
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	Fairchild Semiconductor
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	ONS-FAIR
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	ONS
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	TECH PUB	7 177	23.05
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	22.88
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
SN75185DWR		TEXAS INSTRUMENTS
SN75185DWR				192.00
SN75185DWR		TEXAS INSTRUMENTS
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		640	12.25
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	800	16.83
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	3 740	16.00
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ