BAT54S

2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BAT54S (GOOD-ARK SEMICONDUCTOR.)	27	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (DIOTEC)	1 993	2.78
BAT54S (DC COMPONENTS)	45 826	2.59
BAT54S	22 091	1.68 >100 шт. 0.84
BAT54S (FAIRCHILD.)	1 304	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (NXP.)	149	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (OTHER.)	44	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (PHILIPS.)	1 404	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (GALAXY)	709	2.94
BAT54S (YJ)	154 142	1.48
BAT54S (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG.)	100	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (HOTTECH)	258 068	1.36
BAT54S (PANJIT.)	24 773	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S (YANGJIE)	14 400	1.31
BAT54S (NEX-NXP)	4 880	4.92
BAT54S (TWGMC)	48 997	1.18
BAT54S (OLITECH)	196	1.05
BAT54S (JSCJ)	216 556	1.92
BAT54S (YOUTAI)	60 306	1.70
BAT54S (JINGDAO)	5 176	1.88 >100 шт. 0.94
BAT54S (NEXPERIA)	2 280	1.60
BAT54S,215	60	3-4 недели Цена по запросу
BAT54S,215 (NEX-NXP)	472	6.89
BAT54S,215 (NEXPERIA)	28	2.19
BAT54S-TP (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS.)	411	3-4 недели Цена по запросу
BAT54ST/R (PANJIT.)	5 707	3-4 недели Цена по запросу
BAT54ST/R (NXP.)	19	3-4 недели Цена по запросу

Cборка из двух импульсных малосигнальных диодов Шоттки. Выполнена в корпусе для SMD монтажа.

Uобр.max (постоянное) 30В
Iпрям.max.     200мА
Iпрям.max (имп. повторяющийся)     300мА
Максимальная рассеиваемая мощность     230мВТ
Uпрям. (в зависимости от Iпр.)     0.24 ... 0.8В
Iобр. (при t=+25°C, не более)     2мкА
C (ёмкость перехода)     10пФ
Время воcстановления     < 5нс
Диапазон температур     - 65..+150°C
Тип корпуса     SOT-23

Версия для печати

Технические характеристики BAT54S

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800mV @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 25V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Reverse Recovery Time (trr)	5ns
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Configuration	1 Pair Series Connection
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BAT54SLT1

2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)

Также в этом файле: BAT54SLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BAT54S datasheet
297,1kB
11стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	10 079	4.36
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	16 326	2.48
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	30 202	2.82
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	1 280	3.00
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А		2 403	7.04
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	JY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	10 578	3.78
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	25 600	2.77
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	1
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL	887	24.00
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...			52.40
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL CORPORATION
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	MICRO CHIP
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	6.63
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	408	2.74
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		94 400	1.70 >100 шт. 0.85
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 600	1.33
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	6 648	1.97
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.83
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG	139	2.35
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	181 654	1.48
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	122 400	1.34
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	9 580	2.37
BAT54A	2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	125 520	1.51
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	1 789	3.57
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIR
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS	532	6.63
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DC COMPONENTS	37 748	3.19
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DIOTEC	20 780	2.58
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...		559	7.04
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY	985	3.81
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MCC
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD	4 762
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY INC.	1 848
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	3 192
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	OTHER	4 841
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	Fairchild Semiconductor
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICROSEMI CORP
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	КИТАЙ
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	UTC
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS-FAIR
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY ME
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	HOTTECH	95 492	1.98 >100 шт. 0.99
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LRC
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KLS
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KOME	2	3.49
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PANJIT
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SUNTAN	77	1.51
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	1 298
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SEMTECH	1	2.83
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	WUXI XUYANG	690	2.39
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	YJ	761 346	1.36
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CJ	1 204	1.40
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	1
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSCJ	164 840	1.97
BAT54C	2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JINGDAO
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	305 334	2.21
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	12	2.40
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		8 474	1.24 >100 шт. 0.62
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	6.63
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	32 563	1.97
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	576	1.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.51
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	368	1.70
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	13 257	1.89
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.26
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 542 832	1.28
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	545 513	1.37
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	128 000	1.96 >100 шт. 0.98
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	1 356 248	1.94 >100 шт. 0.97
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	36 704	1.42 >100 шт. 0.71
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	2 070	1.60

BAT54S

2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают: