Версия для печати
Технические характеристики BC307B

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	130MHz
Power - Max	500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

Selection guide Small-signal Transistors Также в этом файле: BC307B Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BC307B datasheet 4.83Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		453	11.04
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	660	9.07
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 308	12.60
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.66

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC177B					32.64
		BC177B					32.64
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS	808	61.20
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)		6	80.64
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	STMicroelectronics
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	Fairchild Semiconductor
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ТАИЛАНД
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRO
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	MULTICOMP
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	1
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS	296	67.88
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIR
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)			45.64
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	Fairchild Semiconductor
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	КИТАЙ
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BDX34C		Транзистор биполярный SMD PNP составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRO
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05			296.52
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	NSC	40	204.12
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	США
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	TEXAS
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	NS
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	HGSEMI	2 388	47.69
		LM1875T		ИМС УНЧ 11-20Вт SQL05	4-7 НЕДЕЛЬ	208
		TLE2141CP		Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В	TEXAS INSTRUMENTS
		TLE2141CP		Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В
		TLE2141CP		Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В	TEXAS
		TLE2141CP		Операционный усилитель пол. проп. 59МГц, вх 3,5мА / вых 50мА, 4-44В / 2-22В	4-7 НЕДЕЛЬ	287

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"