BC637


Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz

Купить BC637 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC637
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC637 (OTHER.) 818 3-4 недели
Цена по запросу
BC637 (PHILIPS.) 8 960 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC637

КорпусTO-92-3
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажаВыводной
Frequency - Transition100MHz
Power - Max1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Transistor TypeNPN
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC635

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

Также в этом файле: BC637

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC637 datasheet
130.1Kb
5стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   КРЕМНИЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...     158 15.12 
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   БРЯНСК 4 231 15.96 
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   ЭЛЕКС 880 46.49 

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35     789 7.40 
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   ST MICROELECTRONICS SEMI 2 064 цена радиодетали
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT43 Диод Шоттки 30V 0,1A DO35   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HC-49U 20 MHZ     KDS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HC-49U 20 MHZ       Заказ радиодеталей 17.28 
    LGA0204 10UH 20%     CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LGA0204 10UH 20%       Заказ радиодеталей 3.60 
    LGA0410 10UH 10%     CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LGA0410 10UH 10%       Заказ радиодеталей 3.56 
    STP16CP05T     ST MICROELECTRONICS 660 94.50 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход