Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Power - Max | 310mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
276 192
|
2.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
135 980
|
2.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
550 682
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
374 635
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 177
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 145 809
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
331 837
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
973 864
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
29 344
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 870
|
1.60
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
|
22 084
|
1.01
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
NXP
|
1 194
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
PHILIPS
|
1 354
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
DIOTEC
|
22 664
|
2.68
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
LRC
|
800
|
4.92
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
HOTTECH
|
40 000
|
1.32
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
YJ
|
97 042
|
1.97
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SUNTAN
|
22 010
|
1.19
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
YAGEO
|
11 215 966
|
0.75
>500 шт. 0.25
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
PHY
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
|
3
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
YAGEO
|
2 206
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
СКЛАД
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
654 136
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
JRB1V221M03500800120000B |
|
|
JB
|
95 586
|
4.53
|
|
|
|
JRB1V221M03500800120000B |
|
|
|
|
|
|