BC817W


Купить BC817W ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC817W
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC817W (PHILIPS.) 6 400 3-4 недели
Цена по запросу
BC817W (JSCJ) 73 280 1.09 

Версия для печати

Технические характеристики BC817W

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Power - Max200mW
Frequency - Transition100MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC817W

NPN general purpose transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BC817W datasheet
53.43Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BC857C/T1       Заказ радиодеталей 4.64 
    BC857C/T1     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BC857C/T1     NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MB312-500M2     BLOCKMASTER ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TPS62110RSAT       3 цена радиодетали
  TPS62110RSAT     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TPS62110RSAT     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TPS62110RSAT     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход