BC847CW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC847CW	7 840	1.08
BC847CW (NXP.)	8 504	3-4 недели Цена по запросу
BC847CW (DIOTEC)	6 456	2.44
BC847CW (NEX-NXP)	480	9.84
BC847CW (HOTTECH)	43 160	1.62
BC847CW (YJ)	381 918	1.38
BC847CW (KEFAN)	8 520	1.10

Версия для печати

Технические характеристики BC847CW

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	200mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC846AW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BC847CW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC847CW datasheet
275.51Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	OSRAM OPTO
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт		800	60.86
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	VISHAY	1	21.55
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	Vishay/Semiconductors
TDA7050N3		ST MICROELECTRONICS
К500ЛП116				67.20
К500ТМ131			89	18.00
ФТ-2К ГР.Б			2 948	50.00