BC857ALT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC857ALT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	29 598	3-4 недели Цена по запросу
BC857ALT1G	8	7.20

Версия для печати

Технические характеристики BC857ALT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	125 @ 2mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LBC857

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: LBC857ALT1G

Производитель:
Leshan Radio Company
//www.lrc-china.com

BC857ALT1G datasheet
154.43Kb
7стр.