Версия для печати
Технические характеристики BCW32

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCW32 Npn Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Samsung semiconductor //www.samsung.com BCW32 datasheet 34.13Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3130В9				704	18.00
		КТ3130В9			АЛЕКСАНДРОВ	152	10.00
		КТ3130В9			ДАЛЕКС	152	18.70
		КТ3130В9			RUS
		КТ3130В9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130В9			ЭЛЕКС	800	10.71
		КТ3130В9			МИНСК	205	16.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335R					88.00
		2SC2335R			FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ON SEMICONDUCTOR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DC COMPONENTS	11 633	1.62
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DIOTEC
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс		2 704	1.44
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ONS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD	8 101
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS	11 428
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	Fairchild Semiconductor
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ZTX
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	JSCJ	12 652	2.08
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	SZOMK	4	1.47
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.81
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	2 400	7.87
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения			48.44
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ONS
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	МАЛАЙЗИЯ
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTO
		PLS-16 (ШАГ 2.54 ММ)				9 600	2.04

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"