BD234
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 25W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-225-3 |
| Корпус | TO225AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 156 | 31.68 | ||
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 800 | 30.60 | |
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 1 748 | 32.00 | |
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
