Версия для печати
Технические характеристики BD241C

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BD241 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD241C Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru BD241C datasheet 107.3Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz			5.60
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC	1 523	4.46
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CJ
		2С175А				241	49.28
		2С175А			ОРБИТА
		2С175А			RUS
		2С175А			САРАНСК
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	DC COMPONENTS
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10			54.08
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	YJ	2 894	38.20
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	KINGTRONICS	584	79.70
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	YANGJIE
		KBPC1002		Диодный мост 10A 200B KBPC-8/10	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	40	117.30
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	760	41.39
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	14 623	31.59
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		1	58.08
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	248	57.30
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	30 136	31.82
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	33 680	30.01
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"