BD441

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BD441 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	217	3-4 недели Цена по запросу
BD441	4	108.00
BD441 (CHINA)	1 600	4.58
BD441 (LGE)	480	6.72

Версия для печати

Технические характеристики BD441

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	800mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 500mA, 1V
Power - Max	36W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-225-3
Корпус	TO225AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BD4xx

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Также в этом файле: BD441

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

BD441 datasheet
72.46Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 564	26.25
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	92.50
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	18 444	30.00
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ