|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
728
|
59.82
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
17 932
|
20.98
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
|
432
|
7.36
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
FAIRCHILD
|
474
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
GOODARK ELECTRONIC COMPANY,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
|
2 560
|
1.68
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
VISHAY
|
800
|
9.83
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
GOOD-ARK ELECTRONIC COMPANY
|
4
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
LGE
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
YJ
|
424
|
3.10
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
KLS
|
888
|
2.82
|
|
|
|
1N4739A |
|
Стабилитрон 1W 9,1V
|
SEMTECH
|
24
|
2.48
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DIOTEC
|
8 594
|
2.44
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE ELECTRONICS, INC
|
56
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
|
23 200
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
266
|
7.18
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
8.69
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF13N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
|
|
154.80
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
ONS
|
424
|
121.68
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
4
|
128.52
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
1 771
|
34.92
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
149
|
|
|