Версия для печати
Технические характеристики BFG97

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequency - Transition	5.5GHz
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 70mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А			65.32
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON
		КР1158ЕН6А (601А)		Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В	СИТ
		КР1158ЕН6А (601А)		Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		6 349	7.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	3 640	15.65
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	8 862	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	1 636	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	91	13.77
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		476	27.48
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	3 680	46.25
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	15 452	34.00
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 285	29.40
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	2 388	35.70
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	9 640	38.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 644	34.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"