BSH112

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH112 (NXP.)	19 968	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH112

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	40pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH112 (MOSFET)

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Производитель:
NXP

BSH112 datasheet
290.2 Кб