BSH114

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH114 (PHILIPS.)	140	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH114

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	138pF @ 25V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH114 (MOSFET)

N-channel enhancement mode field effect transistor

Производитель:
NXP

BSH114 datasheet
287.3 Кб