BSH207


P-channel enhancement mode mos transistor

Купить BSH207 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSH207
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BSH207 (PHILIPS.) 2 389 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH207

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.52A
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds500pF @ 9.6V
Power - Max417mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-74, SOT-457
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH207 (MOSFET)

P-channel enhancement mode MOS transistor

Производитель:
NXP

BSH207 datasheet
117.4 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход