BSR30
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1.35W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-243AA |
| Корпус | SOT-89 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSR30 Pnp Silicon Planar Medium Power Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805 47КОМ 5% |
|
Чип-резистор 47кОм, 5%, 0805 | EXTRA |
|
|
||
|
|
0805 47КОМ 5% |
|
Чип-резистор 47кОм, 5%, 0805 |
|
|
|||
 |
 |
0805-100K 1% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100кОм, 1%, 0.125Вт |
|
1.24 | ||
| 74AC132N (IN74AC132N) | МИНСК |
|
|
|||||
 |
SDR0805-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 717 | 37.32 | ||
|
|
SDR0805-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 7,8x5,3mm |
|
72.40 | |||
 |
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 4 053 | 35.50 | ||
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm |
|
74.00 | |||
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 551 |
|
||
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm | ВОURNS |
|
|
