Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Triac Type | Standard |
Тип монтажа | Поверхностный |
Конфигурация | Single |
Current - Hold (Ih) (Max) | 20mA |
Voltage - Off State | 800V |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 35mA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 65A, 71A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 8A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Корпус | D2PAK |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
|
81 760
|
1.13
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DC COMPONENTS
|
10 989
|
1.94
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
1 458
|
1.60
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIOTEC
|
37 207
|
3.06
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
6 511
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
HOTTECH
|
213 810
|
1.07
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YJ
|
94 612
|
1.33
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
OLITECH
|
1 230
|
1.20
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ZH
|
52 800
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YIXING
|
96 000
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
SUNTAN
|
56 679
|
1.13
|
|
|
|
BCP56-16.115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56-16.115 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56-16.115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
|
|
34.80
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
DC COMPONENTS
|
1 864
|
12.48
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
|
|
24.00
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
KINGTRONICS
|
1 040
|
19.68
|
|
|
|
W005M |
|
Диодный мост
|
HOTTECH
|
2 720
|
11.81
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
1
|
21.12
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
216.48
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
880
|
186.96
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|