Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
|
|
197.92
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG712BR |
|
4 Ключа SPST 4 NC, 2.5 Ом, +1.8V to +5.5V RAIL, BW=200MHz, Ton/off=13/7nsec SOIC -40.+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG712BR |
|
4 Ключа SPST 4 NC, 2.5 Ом, +1.8V to +5.5V RAIL, BW=200MHz, Ton/off=13/7nsec SOIC -40.+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
471 602
|
1.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
88 638
|
2.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
70 963
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
576
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
208
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
475
|
1.71
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
762 217
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
305 563
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
152 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
41 600
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 230
|
1.60
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
|
27 568
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
20 271
|
2.70
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
8 158
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
25 331
|
2.24
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
12 316
|
1.78
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YJ
|
265 356
|
1.37
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
2 206
|
2.00
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
181 646
|
1.38
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
33 408
|
1.79
|
|
|
|
ECAP 47/25V 0607 105C SS |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 25 В
|
NOVA
|
|
|
|