DS1250AB-100
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
DS1250AB-100 (DALLAS.) |
120 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики DS1250AB-100
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Формат памяти | RAM |
Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Объем памяти | 4M (512K x 8) |
Скорость | 100ns |
Интерфейс подключения | Parallel |
Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Корпус (размер) | 32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP |
Корпус | 32-EDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.