DTC114GKAT146
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SMT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | IRF3205L Hexfet power mosfets discrete n-channel Купить |
 | BC1602A Алфавитно-цифровой жк модуль 16 символов на 2 строки Купить |
 | ITM-400160K1 Графический жк модуль 400x160 точек Купить |
