FDC2612


200v n-channel powertrench mosfet

Купить FDC2612 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDC2612
Версия для печати

Технические характеристики FDC2612

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs725 mOhm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.1A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds234pF @ 100V
Power - Max800mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус6-SSOT
Product Change NotificationCu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC2612 (MOSFET)

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDC2612 datasheet
201.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход