FDC653N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDC653N (FAIRCHILD.)	128	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDC653N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 15V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC653N (MOSFET)

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDC653N datasheet
76.9 Кб